MkSA BandiTは、半導体基板表面を非接触でリアルタイムに測定するおんどの試験システムを用いて、半導体材料の吸収辺の温度による変化を用いて、リアルタイムにウェハ/基板の温度を測定する、そしてMkSA BandiTは多くのMBEへのインストールに成功しており、MOCVD、Sputter、PLDなどの半導体堆積装置において、ウエハの温度リアルタイム検出を実現した。

kSA BandiT多ウェハ温度監視ソフトウェアは自動サーボモータ制御の走査検出機能を結合し、MBEエピタキシャル薄膜成長中の多基板温度リアルタイムMapping検出を実現した。

このシステムは、エピタキシャル薄膜成長プロセスにおいて基板／ウェハのリアルタイムの2次元温度情報を提供するシステムである。Wafer（及びフィルム）表面温度のリアルタイム、非接触、非侵入の直接検査、温度と半導体材料の光に対する吸収辺（バンドエネルギー）相関原理、すなわち材料の固有特性を用いて、測定結果をより正確にする、MBE、MOCVD、スパッタリング、蒸発システムなどと熱処理、アニール設備上で、リアルタイム温度検出を行う。
MkSA BandiT資料ダウンロード

技術パラメータ：
温度範囲：室温~ 1300℃
温度反復性：0.2℃
温度分解能：0.1摂氏度、
安定性：+/-0.2℃

主な特徴：
*リアルタイム、非接触、非侵入、直接Wafer温度監視、
*マルチ基板/ウェハ表面2 D温度Mappingモニタリング、
*最もリアルなWafer表面またはフィルム温度監視、
*最新の黒体放射線モニタリング技術を統合した、
*堆積速度と膜厚分析、
*表面粗さ解析機能、
*測定波長範囲はオプション（例：可視光帯域、近赤外帯域など）
*測定に対する放射率変化の影響を回避した、
*堆積設備Viewport特殊コーティング不要、

適用例：